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日本Honda-EL超聲波清洗機(jī)W-357BM-600從硅片到硬盤多場景應(yīng)用優(yōu)勢

發(fā)布時間： 2025-11-11　　點(diǎn)擊次數(shù)： 47次

在半導(dǎo)體、數(shù)據(jù)存儲與精密光學(xué)產(chǎn)線，"顆粒度"與"損傷率"是清洗工藝的兩條生死線。日本Honda-EL（本多電子）將600 W、1 MHz高頻兆聲波模塊、數(shù)字功率閉環(huán)與RS485遠(yuǎn)程診斷集于一臺5 kg盒體——W-357BM-600發(fā)生器，由此衍生出的槽式/振板式清洗系統(tǒng)，已在硅片、藍(lán)寶石、磁頭與硬盤等多元場景實(shí)現(xiàn)"高潔凈、零損傷、可追蹤"的批量清洗，成為12英寸Fab與HDD潔凈房升級換代的主流選項(xiàng)。
一、1 MHz兆聲波+1 W步進(jìn)功率：把"空化泡"做到亞微米
• 頻率越高，空化閾值越高，氣泡直徑越小。W-357BM-600在1 MHz下生成的氣泡僅0.2-0.5 µm，可深入0.1 µm線寬溝槽，對30 nm顆粒的去除率>99%，同時避免28 kHz低頻造成的晶面微凹坑。
• 輸出100-600 W以1 W步進(jìn)可調(diào)，工程師可根據(jù)不同工序（去膠、去金屬沾污或最終漂洗）精細(xì)設(shè)定能量密度，避免過度空化導(dǎo)致圖形倒塌或鋁布線微腐蝕。
• 數(shù)字鎖相環(huán)實(shí)時追蹤換能器諧振點(diǎn)，液體溫度、液深或溶劑量變化±20 %時，輸出波動<1 %，保證批間清洗一致性。
二、四種振蕩模式：同一條線完成"強(qiáng)洗-精洗-控?fù)p傷"
單頻連續(xù)：600 W滿載輸出，用于去蠟、去厚重助焊劑；
脈沖振蕩：占空比10-90 %可調(diào)，瞬間高能+間歇冷卻，適合易塌方的low-k片或銅柱；
調(diào)頻振蕩：中心頻率±2 kHz掃描，消滅駐波，解決8英寸以上大圓片清洗不均；
雙頻交替：1 MHz與950 kHz切換，可抑制空化駐留，提升深孔/TSV清洗效率。
上述模式通過RS485一鍵下發(fā)，換配方時間<5 s，滿足多產(chǎn)品混線需求。
三、材料與結(jié)構(gòu)：把"腐蝕"與"微粒"擋在腔體之外
• 振子單元采用PFA包覆+SUS316L焊接盒體，耐HF、SPM、DHF等強(qiáng)腐蝕藥液，連續(xù)運(yùn)行720 h無質(zhì)量損失。
• 發(fā)生器與換能器分離設(shè)計，熱源與電路遠(yuǎn)離藥液區(qū)，MTBF≥20 000 h；更換振子時即插即調(diào)，無需人工匹配電感。
• 面板為全密封薄膜按鍵，正面IP54防護(hù)，可直接放在濕法臺旁邊，節(jié)省潔凈房空間。
四、多場景落地案例
12英寸硅片CMP后清洗
客戶原使用旋轉(zhuǎn)噴淋+刷洗，顆粒殘留≥60 pcs/wafer（≥38 nm）。換用W-357BM-600+單槽兆聲波后，顆粒降至≤10 pcs/wafer，刷洗步驟取消，每萬片節(jié)省DI水 18 t、減少硫酸廢液 1.2 t，年降本約35萬美元。
藍(lán)寶石襯底外延前清洗
1 MHz脈沖模式去除拋光液中SiO?磨料，表面粗糙度Ra增幅<0.03 nm，相比二流體噴射降低0.12 nm，后續(xù)GaN外延缺陷密度下降15 %，芯片ESD良率提升4 %。
硬盤磁頭與盤片清洗
采用600 W調(diào)頻模式，在0.3 %中性清洗劑中120 s完成顆粒+有機(jī)雙污染去除，磁頭滑翔測試良率由97.2 %提升到99.6 %；同時脈沖空化減小鋁盤邊緣微麻點(diǎn)，實(shí)現(xiàn)"零新增劃傷"。
易損鋁部件與鏡面模具
功率下調(diào)至150 W并啟用脈沖占空30 %，空化強(qiáng)度降低但保持亞微米顆粒剝離能力，鋁件失重<0.01 mg，鏡面反射率衰減<0.1 %，成功替代手工擦拭+有機(jī)溶劑擦拭。
五、智能運(yùn)維與可追溯
• RS485（Modbus RTU）實(shí)時上傳功率、頻率、阻抗與溫度，可與MES、APC對接；
• 內(nèi)置"空化強(qiáng)度指數(shù)"與"阻抗漂移"雙算法，提前30天預(yù)警換能器老化；
• 支持遠(yuǎn)程空氣校準(zhǔn)，一鍵歸零，減少工程師進(jìn)潔凈房次數(shù)。
結(jié)語
從硅片到硬盤，從強(qiáng)腐蝕到鏡面易損件，W-357BM-600用1 MHz兆聲波、1 W精度調(diào)控與數(shù)字閉環(huán)，為制造提供了一把"多場景通用、低損傷、可數(shù)據(jù)追溯"的超聲清洗鑰匙。隨著3D NAND、GAA、SiC 功率器件對表面缺陷要求進(jìn)一步提升，這款緊湊發(fā)生器有望在高頻清洗領(lǐng)域繼續(xù)擴(kuò)大版圖，成為濕法工藝段國產(chǎn)與進(jìn)口設(shè)備共同集成的核心模塊。

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